近日，專注于半導體激光領域的初創(chuàng)公司晶飛半導體，宣布已于2023年9月中旬成功完成了數(shù)千萬元的天使輪融資。晶飛半導體本次融資由無限基金See Fund領投，德聯(lián)資本和中科神光跟投。

晶飛半導體創(chuàng)始團隊深耕于激光精細微加工領域，利用超快激光加工技術，為各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決方案，致力于推動激光精細加工在制造業(yè)的國產化和傳統(tǒng)工藝替代。本輪融資為晶飛半導體注入了強大的資本支持，所獲資金將主要應用于公司產品迭代與更新，積極響應行業(yè)需求，通過技術創(chuàng)新提供更先進、更經(jīng)濟的解決方案，推動中國半導體產業(yè)的發(fā)展，乃至為全球半導體技術的進步貢獻重要力量。

創(chuàng)新引入激光垂直剝離技術，貢獻行業(yè)降本新選項

半導體材料是半導體產業(yè)鏈發(fā)展的基石，21世紀初至今，第三代半導體材料顯示出了優(yōu)于傳統(tǒng)硅基材料的特性，其中又以碳化硅為代表的第三代半導體材料功率器件逐漸進入產業(yè)化加速放量階段，市場景氣度持續(xù)提升。這是由于碳化硅具有大帶隙、大載流子漂移速率和大熱導率這三大特性，做成的器件有高功率密度、高頻率、高溫和高電壓這“四高”性能，因此是高壓功率器件的演進方向，在新能源汽車、光伏、軌道交通等各類場景下?lián)碛袕V泛的使用前景。

在這一背景下，晶飛半導體的創(chuàng)業(yè)契機正源于對中國半導體產業(yè)發(fā)展的深刻理解以及對第三代半導體材料加工中存在問題的洞察。

制約碳化硅在功率器件滲透率的核心要素便是成本，從成本結構來看，襯底成本占比在SiC器件中高達47%，傳統(tǒng)硅基器件僅有7%；因此碳化硅襯底降本是實現(xiàn)SiC快速滲透的重要途徑。當前，第三代半導體材料如碳化硅、氮化鎵等在硬度和脆性方面存在挑戰(zhàn)，而傳統(tǒng)金剛線切割方法在生產晶圓時導致切割損耗嚴重、切割速度慢等問題，從而推高了晶圓的價格。

晶飛半導體成立的契機在于致力于解決這些難題。通過引入激光垂直剝離技術，公司能夠實現(xiàn)對第三代半導體材料的高效、精準剝離，相對于傳統(tǒng)金剛線切割工藝，不僅提高了加工速度，還減少了損耗，降低了生產成本。此技術創(chuàng)新為中國半導體產業(yè)帶來了新的可能性，使得高質量、低成本的第三代半導體材料的生產變得更為可行。

自主研發(fā)，“打磨”出更高效解決方案

資料顯示，晶飛半導體成立于2023年7月，專注于激光垂直剝離技術研究，旨在實現(xiàn)對第三代半導體材料的精準剝離，以有效降低碳化硅襯底的生產成本。在6英寸和8英寸碳化硅襯底激光垂直剝離技術的研發(fā)方面，公司近5年連續(xù)獲得“北京市科技計劃項目”支持，并正與國內頭部的襯底企業(yè)展開合作工藝開發(fā)。 公司的技術源自中科院半導體所的科技成果轉化，創(chuàng)始團隊深耕于激光精細微加工領域，利用超快激光技術，為各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決方案，積極推動激光精細加工在制造業(yè)的國產化和傳統(tǒng)工藝替代。

公司目前研發(fā)人員占比80%， 其中40%以上的人員具備博士學位，通過將高度多元化的專業(yè)團隊——包括機械、電氣、軟件和光學專業(yè)融合在一起，致力于技術創(chuàng)新。

相較于傳統(tǒng)金剛線切割工藝，激光垂直剝離技術可完成高效、精準的材料剝離，同時減少了碳化硅晶圓的損傷，從而解決了加工速度低、損耗大、成本高等問題。

從具體數(shù)據(jù)提升上來看，激光垂直剝離相比于金剛線剝離優(yōu)點在于：金剛線剝離的線損為200 μm，研磨和拋光的損失為100 μm；激光垂直剝離晶圓的線損為0，脈沖激光在晶錠內部形成爆破層，在分離后由于裂紋延伸的存在，在后續(xù)拋光加工后材料損失可控制在80~100 μm。相比于金剛線剝離損失的1/3，這大大節(jié)約了剝離損失；對于厚度為 2 cm的晶錠，使用金剛線切割晶圓產出量約為 30 片，然而采用激光剝離技術晶圓產出量約為 45 片，增加了約 50 %。

目前晶飛半導體的第一代樣機已完成組裝與調試，正在與頭部企業(yè)客戶進行合作驗證和工藝開發(fā)。產品在工藝與設備的穩(wěn)定一致性達到客戶要求后即可完成客戶端產線部署的商業(yè)化進程，本輪融資正是在商業(yè)化節(jié)點上提供重要助力。

加上晶飛半導體團隊此前已經(jīng)做了大量的知識產權儲備，使公司能夠在多個領域提供創(chuàng)新解決方案，通過與客戶的緊密合作以確保他們夠充分利用公司的設備和技術，讓公司的創(chuàng)新成果在半導體材料加工中具有巨大潛力，為客戶提供更高效、更精確的加工解決方案。

適應下游迭代趨勢，為系統(tǒng)變革帶來更多創(chuàng)新的可能性

晶飛半導體本次投資跟投方德聯(lián)資本投資經(jīng)理康乾熙認為，新能源革命的大背景下，碳化硅功率器件市場潛力巨大，但成本是制約其滲透率的關鍵因素。在器件層面，碳化硅襯底成本占比高達47%，且由于其材料物理特性，在切片環(huán)節(jié)中近一半的材質被無謂損耗；激光剝片這一新技術的出現(xiàn)可以顯著降低襯底成本，是推動碳化硅器件滲透的重要手段。

“晶飛半導體團隊具有豐富的激光加工經(jīng)驗，在激光器和激光物質底層理論研究方面具有較強的技術積累，在激光剝片工藝層面也有多年的經(jīng)驗沉積。憑借團隊極強的技術攻關能力，公司已獲國內多家頭部碳化硅襯底廠認可，有望在切片設備領域完成工藝迭代，成為領先的供應商，為新能源革命做出積極貢獻。” 康乾熙這樣表示。

在本輪融資中獲得多家知名投資機構投資后，晶飛半導體表示所籌集的資金主要用于公司的技術研發(fā)、市場拓展以及團隊建設。這一投資將進一步加速晶飛半導體在半導體領域的創(chuàng)新步伐，為推動公司技術和產品的不斷升級提供了有力支持。

在業(yè)內人士看來，晶飛半導體的升級發(fā)展將對整個行業(yè)起到持續(xù)的推動作用。過去碳化硅襯底受制于成本，行業(yè)的滲透一直存在挑戰(zhàn)，而通過在切片加工新技術的部署，可以大幅降低碳化硅襯底成本從而完成下游，如新能源汽車、軌道交通、光伏等行業(yè)的進一步滲透，降低損耗，推動未來能源系統(tǒng)變革。

值得關注的是，當前國內主流碳化硅襯底企業(yè)主要生產6英寸晶圓，許多頭部企業(yè)和研究機構已完成8英寸晶圓開發(fā)并推進量產進程。未來8英寸襯底替代6英寸襯底的演進方向同樣決定線切方式存在極大挑戰(zhàn)，晶飛半導體的激光垂直剝離技術將迎來更剛性的需求增長，加快滲透步伐。

從另一個角度來看，晶飛半導體的激光垂直剝離設備不受碳化硅晶錠尺寸限制，能夠為碳化硅襯底企業(yè)提供更靈活的晶圓切片解決方案，從而顯著提高切片效率和晶圓產出率。這一技術優(yōu)勢為碳化硅晶圓的制造提供了更高度的可定制性和效率優(yōu)勢，為行業(yè)的晶圓生產帶來了創(chuàng)新的可能性。