近日，有關(guān)“新型5nm超高精度激光光刻加工方法”論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導(dǎo)師劉前在接受媒體采訪時(shí)澄清，這一技術(shù)與高端光刻機(jī)采用的極紫外光刻技術(shù)（EUV）是兩回事。

今年7月，中科院網(wǎng)站刊登了一則國(guó)產(chǎn)5nm光刻技術(shù)獲突破的新聞，中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所張子旸研究員，與國(guó)家納米科學(xué)中心劉前研究員合作，在《納米外報(bào)》上發(fā)表了一篇研究論文，述了該團(tuán)隊(duì)開發(fā)的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。

中科院突破5nm光刻技術(shù)的新聞，恰逢華為遭遇美國(guó)技術(shù)封鎖、尋求出路的時(shí)刻。這一突破讓國(guó)人看到了希望。消息一出，社交媒體上一片沸騰。但隨后這條新聞被刪除。

劉前解釋，中科院研發(fā)的5nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，這是集成電路光刻制造中不可缺少一個(gè)部分，也是限制最小線寬的瓶頸之一。但即便這一技術(shù)實(shí)現(xiàn)商用化，要突破光刻機(jī)巨頭荷蘭公司ASML的壟斷，還有很多核心技術(shù)需要突破，例如鏡頭的數(shù)值孔徑、光源的波長(zhǎng)等。況且這一技術(shù)目前還在實(shí)驗(yàn)室階段。

按照制程，光刻機(jī)工藝可以分為180nm、90nm、65nm、45nm、22nm、14nm、7nm等。根據(jù)外媒報(bào)道，在日前的ITF論壇上，與全球光刻機(jī)巨頭ASML合作研發(fā)半導(dǎo)體光刻機(jī)的比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu) IMEC 正式公布，ASML對(duì)于3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米的工藝都做了清楚的發(fā)展規(guī)劃。

國(guó)內(nèi)的光刻機(jī)到底在什么水平？一位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界資深人士對(duì)AI財(cái)經(jīng)社說，目前可以實(shí)現(xiàn)180nm制程，但還在試用階段，仍需要攻克。

一位光刻機(jī)行業(yè)人士曾對(duì)AI財(cái)經(jīng)社透露，據(jù)他了解，目前上海微電子僅有一臺(tái)尚沒有量產(chǎn)、能做到90nm制程的光刻機(jī)，使用的實(shí)際上是海外20年前的光源技術(shù)。

在國(guó)家2008年啟動(dòng)的扶持芯片設(shè)備的02專項(xiàng)中，光刻機(jī)是花錢最多的項(xiàng)目，一投就是10多年，為什么一直沒有做出追趕世界潮流的先進(jìn)產(chǎn)品？

前述半導(dǎo)體行業(yè)人士稱，這并不完全是技術(shù)問題，而是產(chǎn)業(yè)環(huán)境問題。在華為事件發(fā)生之前，國(guó)產(chǎn)設(shè)備一直處于鄙視鏈下游，客戶都不愿意配合使用和測(cè)試。“送給別人用，人家都不愿意花時(shí)間，天生覺得你不行，在那種狀態(tài)下，干著都沒勁。”

社交媒體上，有疑似上海微電子的員工留言說，2015年曾給國(guó)內(nèi)某芯片制造廠送了一臺(tái)樣機(jī)，最后機(jī)器一直放在廠房里成了一堆廢鐵。

但在華為事件的催化下，國(guó)內(nèi)廠商都看到了芯片被卡脖子的嚴(yán)重后果。前述半導(dǎo)體行業(yè)人士觀察，這兩年光刻機(jī)的進(jìn)展快了很多。“被逼到絕路上的時(shí)候，大家都拼命幫你做，這和你自己干的勁頭是不一樣的。但是光刻機(jī)的進(jìn)展肯定不會(huì)那么快，總體來說得一步步地往前走。”