近日，研微（江蘇）半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“研微半導(dǎo)體”）完成數(shù)億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產(chǎn)投等知名投資機(jī)構(gòu)。本輪融資募集資金將用于未來(lái)研發(fā)投入及擴(kuò)充團(tuán)隊(duì)。

公開(kāi)信息顯示，研微半導(dǎo)體成立于2022年10月，位于江蘇無(wú)錫，是一家專(zhuān)注于高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的企業(yè)。公司致力于原子層沉積（ALD)、 Si 外延沉積（SI EPI）、等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）、SiC 外延（SiC EPI）以及原子層刻蝕（ALE）等設(shè)備及工藝技術(shù)的研發(fā)。

此外，截至當(dāng)前，研微半導(dǎo)體已經(jīng)完成多輪融資，背后投資方包括中科創(chuàng)星、春華資本、毅達(dá)資本、襄禾資本、臨芯投資、華鼎創(chuàng)投、湖杉資本等知名機(jī)構(gòu)。

研微半導(dǎo)體產(chǎn)品線聚焦于高端薄膜沉積和刻蝕設(shè)備，涵蓋熱原子層沉積設(shè)備（TALD）、等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備（PEALD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）、外延生長(zhǎng)設(shè)備以及原子層刻蝕設(shè)備（ALE）五大類(lèi)。

公司通過(guò)自主研發(fā)，在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細(xì)分工藝上取得突破，成功填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在tALD、PEALD、低壓EPI等高端薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域的空白。目前，研微半導(dǎo)體的設(shè)備已有多臺(tái)通過(guò)Fab廠驗(yàn)證，并廣泛應(yīng)用于高端集成電路、功率器件、射頻元件及先進(jìn)封裝等領(lǐng)域，有效實(shí)現(xiàn)了高端半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代。此外，公司還配備了智能化軟件平臺(tái)（Exsequi），支持工藝調(diào)試與遠(yuǎn)程維護(hù)，確保了設(shè)備的穩(wěn)定性和先進(jìn)性。