瞻芯電子碳化硅芯片公司完成過億元融資

近日獲悉，瞻芯電子已于今年完成過億元人民幣融資，投資方包括臨芯投資、金浦投資以及幾家重要產(chǎn)業(yè)協(xié)同方。

當(dāng)日活動現(xiàn)場，瞻芯電子正式發(fā)布基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級)認(rèn)證的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品。這是首款在國內(nèi)設(shè)計研發(fā)、國內(nèi)6英寸生產(chǎn)線制造流片的碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品的發(fā)布填補了國內(nèi)空白，產(chǎn)品性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。

瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海自貿(mào)區(qū)臨港新片區(qū)。公司齊聚海內(nèi)外一支經(jīng)驗豐富的SiC工藝及器件設(shè)計、SiC MOSFET驅(qū)動芯片設(shè)計、電力電子系統(tǒng)應(yīng)用、市場推廣和產(chǎn)品運營等方面高素質(zhì)核心團(tuán)隊。

自成立之日起，瞻芯電子便啟動6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝的研發(fā)工作。2018年5月，全部打通了SiC MOSFET的關(guān)鍵工藝并制造出第一片國產(chǎn)6英寸SiC MOSFET晶圓。經(jīng)過三年的深度研發(fā)和極力攻關(guān)，堅守嚴(yán)謹(jǐn)高要求的測試標(biāo)準(zhǔn)，成為中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司。2020年9月11日，瞻芯電子具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅1200V 80mohm MOSFET產(chǎn)品通過JEDEC工規(guī)級認(rèn)證，成為國內(nèi)主流的工業(yè)級碳化硅MOSFET功率器件廠商。

CEO張永熙博士詳細(xì)介紹了工藝開發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)流程，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目煽啃则炞C步驟，并與國際知名廠商對比產(chǎn)品的關(guān)鍵指標(biāo)以及可靠性數(shù)據(jù)，產(chǎn)品整體達(dá)到國際先進(jìn)水平；COO陳儉介紹了貫徹“客戶至上”理念的客戶支持團(tuán)隊、覆蓋研發(fā)到生產(chǎn)過程的嚴(yán)格質(zhì)量管理體系、有求必應(yīng)且“服務(wù)優(yōu)質(zhì)”的供應(yīng)鏈，以及碳化硅產(chǎn)品的成本降低預(yù)測；市場副總曹峻介紹了產(chǎn)品支持的應(yīng)用領(lǐng)域，包括風(fēng)能和光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動、充電樁等領(lǐng)域，以及當(dāng)前的市場銷售情況。兩家客戶端企業(yè)也現(xiàn)場做了瞻芯電子SiC MOSFET產(chǎn)品使用的體驗和分享報告。

據(jù)公司創(chuàng)始人張永熙博士介紹，在新能源汽車電驅(qū)動中使用SiC MOSFET替代Si IGBT，整車效率提高5%-10%；在光伏逆變器中使用SiC 功率器件，整機(jī)的能耗降低50%；電力電子行業(yè)專家周滿枝介紹，使用SiC MOSFET替代Si IGBT，其開通損耗降低至三分之一，關(guān)斷損耗降至二十分之一，這使得使用SiC功率器件的產(chǎn)品可以達(dá)到更高的功率密度，使用更簡單的散熱設(shè)計，整體效率更高。

SiC MOSFET應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變，風(fēng)能逆變、儲能設(shè)施、高速電機(jī)驅(qū)動等場合，其市場前景廣闊。預(yù)計到2027年，市場銷售額將達(dá)到100億美元，SiC功率器件是面向未來更環(huán)保，更節(jié)能的電能轉(zhuǎn)換核心器件，在整個系統(tǒng)中處于關(guān)鍵部位。