歌爾微電子領(lǐng)投，氮化鎵外延晶片生產(chǎn)商晶湛半導(dǎo)體完成數(shù)億元戰(zhàn)略融資

近日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（“晶湛半導(dǎo)體”）宣布完成數(shù)億元B+輪戰(zhàn)略融資，本輪融資由歌爾微電子領(lǐng)投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場(chǎng)、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。

據(jù)了解，本次 B+ 輪戰(zhàn)略融資將主要用于晶湛半導(dǎo)體總部和研發(fā)中心建設(shè)，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后晶湛半導(dǎo)體將建成國際一流、國內(nèi)首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發(fā)生產(chǎn)基地，推動(dòng)晶湛半導(dǎo)體進(jìn)入新的發(fā)展階段。

創(chuàng)新工場(chǎng)執(zhí)行董事熊昊表示，氮化鎵（GaN）在功率、射頻、光電領(lǐng)域有廣泛的落地場(chǎng)景，尤其在高頻和高功率領(lǐng)域應(yīng)用效果特別出色，更可廣泛滲透和推動(dòng)通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等產(chǎn)業(yè)迭代升級(jí)，是智能制造不可或缺的關(guān)鍵核心器件。未來氮化鎵在各領(lǐng)域的滲透率將快速提升，市場(chǎng)前景廣闊。晶湛半導(dǎo)體擁有全球領(lǐng)先的學(xué)術(shù)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，是全球最早，也是最頭部的氮化鎵外延技術(shù)公司之一。我們相信，在程凱博士的帶領(lǐng)下，晶湛半導(dǎo)體將持續(xù)引領(lǐng)技術(shù)的進(jìn)步，通過整合上下游的資源，在功率、射頻和微顯示等終端應(yīng)用爆發(fā)增長(zhǎng)的浪潮中，成為產(chǎn)業(yè)鏈上核心的氮化鎵器件和材料供應(yīng)商。

晶湛半導(dǎo)體由硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于 2012 年 3 月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子、射頻電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。

2014 年底，晶湛半導(dǎo)體就率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗(yàn)證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，填補(bǔ)了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白；2021 年 9 月，晶湛半導(dǎo)體又成功全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。

經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國內(nèi) GaN 材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級(jí)期刊 Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級(jí)會(huì)議 IEDM 等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評(píng)。

晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項(xiàng)核心技術(shù)，擁有完全獨(dú)立的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國內(nèi)外累計(jì)申請(qǐng)近 400 項(xiàng)專利，其中已獲得超 100 項(xiàng)專利授權(quán)。