和利資本領投，第三代半導體企業寬能半導體完成超2億元天使輪融資

近日，第三代半導體企業寬能半導體宣布完成超2億元天使輪融資，本輪融資由和利資本領投，渶策資本、云啟資本、國中資本、毅達資本、金浦投資、亞昌投資、君盛投資、富華投資共同參與投資。

和利資本合伙人曾國益表示：“碳化硅賽道發展較晚，全球范圍內具備碳化硅產線規模量產經驗的人才非常稀缺。寬能團隊源自于全球數一數二可以規模量產全系列碳化硅器件的代工廠，核心骨干皆具備20年以上的代工廠產線經驗以及10年碳化硅產線量產經驗，并實際作為核心團隊走過從0開始到工藝建立、可靠度提升、良率提升到大批量量產出貨全流程，掌握碳化硅工藝與材料Knowhow ，可以快速建立起具備競爭力的世界一流碳化硅器件代工廠。”

根據 Yole 預測，到 2025 年新能源汽車將是碳化硅功率器件最主要的應用。隨著新能源汽車銷量的快速提升，碳化硅功率器件在電機驅動、OBC、DC/DC等部件中的應用還將為其打開更加廣闊的市場。全球電動汽車領導者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作為其馬達逆變器解決方案，以取代傳統硅基IGBT。預計未來新能源汽車上碳化硅MOSFET的需求量將遠超于碳化硅二極管，無法生產高良率碳化硅MOSFET的器件廠將失去市場。而器件制造作為碳化硅產業鏈的重要環節，對產品的良率和性能起到決定性作用。

南京寬能半導體有限公司成立于2021年11月，公司核心團隊包括多名國際一流的碳化硅半導體工藝和制造專家，掌握碳化硅器件全工藝流程核心技術，并具備20年以上相關產品量產經驗。公司首條產線落地南京，正在建設中，建成后將是國內最大的碳化硅半導體晶圓廠。

寬能半導體深耕功率半導體器件代工領域，為國內外半導體設計公司和IDM廠商提供高良率、高品質且具競爭力的產品。公司的自有標準工藝平臺可協助客戶迅速導入量產，促進工藝技術迭代。同時公司支持新產品開發，提供客制化工藝服務。公司同時具備溝槽型MOSFET工藝。由于目前全球可量產的碳化硅溝槽結構高度稀缺，僅有ROHM的雙溝槽結構、英飛凌的半包溝槽結構、日本住友的接地雙掩埋結構，器件結構的技術壁壘將為公司產品帶來成本和性能上的優勢。